按照冯纳·伊曼的结构，电脑里应该有内存。所以直到今天，内存和硬盘在电脑中仍然占据着非常重要的地位。与大容量硬盘不同的是，内存在访问速度上有着惊人的表现，但断电后无法保存存储的信息。所以在计算机硬件的长期发展中，内存一直扮演着中转站的角色。像其他硬件一样，内存遵循摩根定律。从最早的SIMM到DDR的出现，再到基于DDR的迭代，内存标准和规格变化很大。今天我们就来了解一下DDR内存的发展。

起源

在最初的计算机中，没有内存模块。内存以DIP芯片的形式直接安装在主板的DRAM插槽上，需要安装8到9个这样的芯片，但容量只有***KB到256KB，扩展起来相当困难。但这个对于当时的处理器和程序来说已经足够了，直到80286芯片的出现，使得硬件和软件都渴求更多的内存，于是内存模块应运而生。

在80286时代，我们看到了早期的内存形式:SIMM(单列直插式内存模块)。原SIMM存储器设计30Pin，单个存储器的数据总线只有8位。如果在16位数据总线处理器上使用，它需要两个SIMM存储芯片，而如果在32位数据总线处理器上使用，它需要四个。这就导致了SIMM内存的购买成本一点都不低，而且还会增加故障率，所以30Pin的SIMM内存并不受大家欢迎。

于是72针SIMM存储器诞生了，单个存储器的位宽增加到了32位。一个内存可以满足32位数据总线处理器，***位数据总线的处理器需要两个。内存容量也增加了，从30Pin时代的256KB增加到512KB，1MB甚至2MB。它的出现很快取代了30针SIMM内存。

在72针内存时代，又有了一个衍生品，那就是FP DRAM，也就是快速页存储器。但由于其定时刷新原理，这种存储器的数据访问速度并不快。然而，这种存储器却意外地成为了存储器发展的关键环节，因为下面的存储器规格在原理上与FP DRAM非常相似。

然后，江户RAM出现在大家面前。也是72针SIMM的一种，容量更大，寻址方式更先进，简化了数据存取的流畅性，读取速度比FPM DRAM快很多。

但是随着CPU的升级，EDO RAM已经不能满足系统的要求，内存技术也发生了很大的革命。插座从SIMM升级到了DIMM(双列直插式内存模块)，内存也迎来了SDR SDRAM(单数据速率SDRAM)的经典时代。

SDRAM给内存带来了新的活力，它的***位带宽与当时处理器的总线宽度一致，这意味着一个SDRAM就可以让电脑正常运行，从而大大降低了内存的购买成本。因为内存的传输信号与处理器的外部频率同步，所以DIMM标准的SDRAM在传输速度上要远远领先于SIMM内存。

后来随着Socket 478 Pentium的大获成功，Intel开始“扩张”，与Rambus联合开发Rambus DRAM内存规范，旨在打造市场上速度最高的内存产品。其内部RISC架构、高频率、高带宽的优势一度被视为内存市场的新宠。英特尔也对自己的Rambus DRAM充满信心，希望Rambus DRAM与奔腾4处理器合作，建立自己的王朝。但是，Rambus最终并没有得到市场的认可。原因是Rambus内存价格高，发热量“巨大”。另外，Rambus DRAM必须分两次安装才能使用，大大提高了这种内存的使用门槛。最终Rambus DRAM没有经受住市场的考验，被价格更低的DDR SDRAM践踏。

Rambus DRAM的失败让市场再次关注SDR SDRAM，但当年的SDR SDRAM已经显老了。所以SDRAM需要一个新的标准来继续发展。好在这次内存的发展没有走弯路，所以我们看到了内存市场的新王者:DDR SDRAM。

内存

DDR(Double Data Rate)SDRAM，中文名称为双倍数据速率同步动态随机存取存储器，是SDR SDRAM的升级版。DDR SDRAM在时钟周期的上升沿和下降沿传输一次信号，使得其数据传输速度是SDR SDRAM的两倍，而且不会增加功耗。至于寻址和控制信号，和SDR SDRAM一样，只是在上升沿传输，这是当时内存控制器兼容性和性能的折中。

DDR SDRAM采用184针DIMM插槽，防呆间隙由SDR SDRAM中的两个改为一个。常见的工作电压是2.5V第一代DDR内存的频率是200MHz，后来慢慢诞生了DDR-266、DDR-333以及那个时代的主流DDR-400。至于那些500MHz，600MHz，700MHz，都被超频了。DDR内存刚出来的时候，只有单通道。后来出现了支持双通道的芯片组，直接将内存带宽翻倍，容量从128MB增加到1GB。

DDR2

DDR2(双倍数据速率2)SDRAM是由JEDEC(电子设备工程联合委员会)开发的新一代存储器技术标准。DDR2与上一代内存技术标准的最大区别在于，虽然采用了时钟上升沿/下降沿数据传输的基本方式，但DDR 2内存的预读能力是上一代DDR内存的两倍以上(即4-4位数据读取和预取)。换句话说，DDR2存储器的每个时钟可以以4倍于外部总线的速度读写数据，并以4倍于内部控制总线的速度运行。

【/S2/】DDR2内存技术最大的突破不是用户认为的DDR两倍的传输容量，而是DDR2可以获得更快的频率提升，以更低的发热和更低的功耗突破标准DDR的400MHZ极限。此外，DDR2内存使用1.8V的电压，远低于DDR标准的2.5V，DDR2的频率范围为400MHz至1200MHz。当时的主流是DDR2-800。频率较高的都是超频条，容量从256MB开始，最大4GB。然而，4GB的DDR2很少见。在DDR2时代的末期，它主要是一个2GB的容量。

DDR3

与DDR2 SDRAM相比，DDR3提供了更高的性能和更低的电压，是DDR2 SDRAM的继任者。

相比上一代，DDR3在很多方面都做了新的规范。核心电压降至1.5V，预取由4位改为8位。

这也是提高DDR3带宽的关键。同样的核心频率DDR3可以提供两倍于DDR2的带宽。此外，DDR3还增加了CWD、重置、ZQ、STR、RASR等技术。

DDR3内存和DDR2一样都是240针DIMM接口，但是两者防呆缺口的位置不同，不能混用。常见的容量是512MB到8GB，当然也有单个16GB DDR3内存，但是很少见。频率从800MHz开始，最高可用频率为2400MHz。其实也有厂商推出了3100MHz DDR3内存，但是很难买到。

DDR4

DDR4和DDR3最大的区别有三点:16位预取机制(DDR3是8位)，同等核心频率下DDR 4的理论速度是DDR3的两倍；更可靠的传输规范，进一步提高数据可靠性；工作电压降至1.2V，更节能。

DDR4内存的管脚数从240个增加到了288个，防呆缺口的位置和DDR3不一样。另一个变化是DDR4的金手指中间高两边低有轻微的曲线，而之前的内存金手指是直的。DDR4不仅可以与DIMM插槽保持足够的信号接触面积，而且比DDR3更容易拆卸内存。

与DDR3相比，DDR4的每个DIMM模块的理论容量可以达到512GiB，而DDR3的每个DIMM模块的理论最大容量只有128 gib

；一个存储单元中的存储体单元数量增加到16个，每个DIMM模块最多有8个存储单元。

DDR5

早在2017年，负责计算机内存技术标准的组织JEDEC就宣布将在2018年完成DDR5内存的最终标准。Magnum、三星等厂商在2018年开始研发16GB DDR5产品，甚至在去年就有几家厂商开始逐步量产DDR5内存。但直到2020年7月，JEDEC才正式发布了DDR5内存的标准，跃升为4800MHz，远高于当初的想象。

根据JEDEC的说法，新的DDR5标准将提供上一代产品两倍的性能，并大大提高电源效率。

在新的DDR5内存标准下，最高内存传输速度可达6.4Gbps，而DDR4内存标准下为3.2Gbps。此外，DDR5还提高了DIMM的工作电压，将DDR4中的电压从1.2V降低到1.1V，可以进一步提高内存的能效。在内存密度方面，DDR5内存标准将允许单个内存芯片的密度达到***Gbit，比DDR4内存标准的16Gbit密度高4倍。如此高的存储密度，结合多芯片封装技术，可以实现多达40个单元的堆叠，堆叠式LRDIMM的有效存储容量可以达到2TB。

最后

从DDR到DDR5，不同性能参数的差异主要体现在两个地方:电源电压和数据传输速率。也就是电源电压越来越低，但数据传输速率却呈几何级数增长。但是，现在内存标准趋于稳定，我们很难在内存中找到太多的亮点。当然，最后旧的东西会被新的东西取代。当有一天没有普及的DDR5不能更好的满足用户的需求，或者不能配合其他硬件的发展，新的规格就会出现。